EPC2035
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
部品番号
EPC2035
メーカー/ブランド
シリーズ
eGaN®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
消費電力(最大)
-
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
45 mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 800µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1.15nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
115pF @ 30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
5V
Vgs (最大)
+6V, -4V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 46588 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード EPC2035
EPC2035 電子部品
EPC2035 売上
EPC2035 サプライヤー
EPC2035 ディストリビュータ
EPC2035 データテーブル
EPC2035の写真
EPC2035 価格
EPC2035 オファー
EPC2035 最安値
EPC2035 検索
EPC2035 を購入中
EPC2035 チップ