EPC2100ENGRT
MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
部品番号
EPC2100ENGRT
メーカー/ブランド
シリーズ
eGaN®
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
Die
パワー - 最大
-
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 35650 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード EPC2100ENGRT
EPC2100ENGRT 電子部品
EPC2100ENGRT 売上
EPC2100ENGRT サプライヤー
EPC2100ENGRT ディストリビュータ
EPC2100ENGRT データテーブル
EPC2100ENGRTの写真
EPC2100ENGRT 価格
EPC2100ENGRT オファー
EPC2100ENGRT 最安値
EPC2100ENGRT 検索
EPC2100ENGRT を購入中
EPC2100ENGRT チップ