EPC2101ENGRT
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
部品番号
EPC2101ENGRT
メーカー/ブランド
シリーズ
eGaN®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
Die
パワー - 最大
-
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9.5A, 38A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 2mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2.7nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
300pF @ 30V
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