EPC2105
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
部品番号
EPC2105
メーカー/ブランド
シリーズ
eGaN®
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
Die
パワー - 最大
-
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9.5A, 38A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 42721 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード EPC2105
EPC2105 電子部品
EPC2105 売上
EPC2105 サプライヤー
EPC2105 ディストリビュータ
EPC2105 データテーブル
EPC2105の写真
EPC2105 価格
EPC2105 オファー
EPC2105 最安値
EPC2105 検索
EPC2105 を購入中
EPC2105 チップ