EPC2107
MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
部品番号
EPC2107
メーカー/ブランド
シリーズ
eGaN®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
9-VFBGA
パワー - 最大
-
サプライヤーデバイスパッケージ
9-BGA (1.35x1.35)
FETタイプ
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FETの特徴
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
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