EPC
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EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
部品番号
EPC2108ENGRT
メーカー/ブランド
EPC
シリーズ
eGaN®
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
9-VFBGA
パワー - 最大
-
サプライヤーデバイスパッケージ
9-BGA (1.35x1.35)
FETタイプ
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FETの特徴
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V, 100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
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