EPC2110ENGRT
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
部品番号
EPC2110ENGRT
メーカー/ブランド
シリーズ
eGaN®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
Die
パワー - 最大
-
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Common Source
FETの特徴
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
120V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.4A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 700µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.8nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
80pF @ 60V
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