AUIRF7379QTR
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
部品番号
AUIRF7379QTR
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
2.5W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.8A, 4.3A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
25nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
520pF @ 25V
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