AUIRL7766M2TR
MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
部品番号
AUIRL7766M2TR
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
DirectFET™ Isometric M4
サプライヤーデバイスパッケージ
DIRECTFET™ M4
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
10 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 150µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
66nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5305pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±16V
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