BSC082N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
部品番号
BSC082N10LSGATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8
消費電力(最大)
156W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.4V @ 110µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
104nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
7400pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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