BSO615NGHUMA1
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
部品番号
BSO615NGHUMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
SIPMOS®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
2W
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-DSO-8
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.6A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 20µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
20nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
380pF @ 25V
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