Infineon Technologies BSP170PE6327T MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 を購入

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BSP170PE6327T

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

部品番号

BSP170PE6327T

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

SIPMOS®

部品のステータス

Discontinued at Digi-Key

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-261-4, TO-261AA

サプライヤーデバイスパッケージ

PG-SOT223-4

消費電力(最大)

1.8W (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

1.9A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

300 mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

14nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

410pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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