Infineon Technologies BSP296 E6433 MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

BSP296 E6433

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

部品番号

BSP296 E6433

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

SIPMOS®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-261-4, TO-261AA

サプライヤーデバイスパッケージ

PG-SOT223-4

消費電力(最大)

1.79W (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

700 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.8V @ 400µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

17.2nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

364pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 22947 PCS

連絡先

関連製品

BSP220,115

MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223