Infineon Technologies BSP322PL6327HTSA1 MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 を購入

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BSP322PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

部品番号

BSP322PL6327HTSA1

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

SIPMOS®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-261-4, TO-261AA

サプライヤーデバイスパッケージ

PG-SOT223-4

消費電力(最大)

1.8W (Ta)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

1A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

800 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 380µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

16.5nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

372pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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