BSP613PL6327HUSA1
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
部品番号
BSP613PL6327HUSA1
メーカー/ブランド
シリーズ
SIPMOS®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-SOT223-4
消費電力(最大)
1.8W (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
130 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
33nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
875pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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