BSZ0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
部品番号
BSZ0904NSIATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TSDSON-8-FL
消費電力(最大)
2.1W (Ta), 37W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
Schottky Diode (Body)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
18A (Ta), 40A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1463pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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