DF11MR12W1M1B11BOMA1
MOSFET MODULE 1200V 50A
部品番号
DF11MR12W1M1B11BOMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolSiC™
部品のステータス
Active
包装
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
Module
パワー - 最大
20mW
サプライヤーデバイスパッケージ
Module
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
55A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (最大) @ ID
5.5V @ 20mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
125nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3950pF @ 800V
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