IPB029N06N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
部品番号
IPB029N06N3GE8187ATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
消費電力(最大)
188W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
3.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 118µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
165nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
13000pF @ 30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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