IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
部品番号
IPB083N15N5LFATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
消費電力(最大)
179W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
150V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.9V @ 134µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
45nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
210pF @ 75V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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