IPB80N06S2L09ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
部品番号
IPB80N06S2L09ATMA2
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-3-2
消費電力(最大)
190W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
55V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.2 mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 125µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
105nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2620pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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