IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
部品番号
IPD80R1K0CEATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™ CE
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO252-3
消費電力(最大)
83W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
800V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.9V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
31nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
785pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 26471 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IPD80R1K0CEATMA1
IPD80R1K0CEATMA1 電子部品
IPD80R1K0CEATMA1 売上
IPD80R1K0CEATMA1 サプライヤー
IPD80R1K0CEATMA1 ディストリビュータ
IPD80R1K0CEATMA1 データテーブル
IPD80R1K0CEATMA1の写真
IPD80R1K0CEATMA1 価格
IPD80R1K0CEATMA1 オファー
IPD80R1K0CEATMA1 最安値
IPD80R1K0CEATMA1 検索
IPD80R1K0CEATMA1 を購入中
IPD80R1K0CEATMA1 チップ