IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
部品番号
IPD80R1K4CEBTMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™
部品のステータス
Discontinued at Digi-Key
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252-3
消費電力(最大)
63W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
800V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.9V @ 240µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
23nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
570pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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