IPI65R190CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
部品番号
IPI65R190CFDXKSA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3
消費電力(最大)
151W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.5V @ 730µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
68nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1850pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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