IPL65R210CFDAUMA1
MOSFET N-CH 4VSON
部品番号
IPL65R210CFDAUMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
4-PowerTSFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-VSON-4
消費電力(最大)
151W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
16.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
210 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.5V @ 700µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
68nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1850pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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