IPL65R660E6AUMA1
MOSFET N-CH 4VSON
部品番号
IPL65R660E6AUMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™ E6
部品のステータス
Last Time Buy
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
4-PowerTSFN
サプライヤーデバイスパッケージ
Thin-Pak (8x8)
消費電力(最大)
63W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 200µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
23nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
440pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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