IPN50R650CEATMA1
MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223
部品番号
IPN50R650CEATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™ CE
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-223-3
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-SOT223
消費電力(最大)
5W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 150µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
342pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
13V
Vgs (最大)
±20V
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