Infineon Technologies IPS118N10N G MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3 を購入

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IPS118N10N G

MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3

部品番号

IPS118N10N G

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

OptiMOS™

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-251-3 Stub Leads, IPak

サプライヤーデバイスパッケージ

PG-TO251-3

消費電力(最大)

125W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

75A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

11.8 mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 83µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

65nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

4320pF @ 50V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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