IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
部品番号
IPT020N10N3ATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerSFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-HSOF-8-1
消費電力(最大)
375W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 272µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
156nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
11200pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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