IRF3706STRR
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
部品番号
IRF3706STRR
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
消費電力(最大)
88W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2410pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.8V, 10V
Vgs (最大)
±12V
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