IRF3709S
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
部品番号
IRF3709S
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
消費電力(最大)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
41nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2672pF @ 16V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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