IRF3717TR
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
部品番号
IRF3717TR
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
消費電力(最大)
2.5W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.45V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
33nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2890pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 19994 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRF3717TR
IRF3717TR 電子部品
IRF3717TR 売上
IRF3717TR サプライヤー
IRF3717TR ディストリビュータ
IRF3717TR データテーブル
IRF3717TRの写真
IRF3717TR 価格
IRF3717TR オファー
IRF3717TR 最安値
IRF3717TR 検索
IRF3717TR を購入中
IRF3717TR チップ