IRF5210LPBF
MOSFET P-CH 100V 38A TO-262
部品番号
IRF5210LPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-262
消費電力(最大)
3.1W (Ta), 170W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
60 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
230nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2780pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 8048 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRF5210LPBF
IRF5210LPBF 電子部品
IRF5210LPBF 売上
IRF5210LPBF サプライヤー
IRF5210LPBF ディストリビュータ
IRF5210LPBF データテーブル
IRF5210LPBFの写真
IRF5210LPBF 価格
IRF5210LPBF オファー
IRF5210LPBF 最安値
IRF5210LPBF 検索
IRF5210LPBF を購入中
IRF5210LPBF チップ