IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
部品番号
IRF5210PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
消費電力(最大)
200W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
60 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
180nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2700pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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