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IRF5802TR

IRF5802TR

MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
部品番号
IRF5802TR
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ
Micro6™(TSOP-6)
消費電力(最大)
2W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
150V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.8nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
88pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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