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IRF6100

IRF6100

MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
部品番号
IRF6100
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
4-FlipFet™
サプライヤーデバイスパッケージ
4-FlipFet™
消費電力(最大)
2.2W (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
65 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
21nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1230pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
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