IRF640NLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
部品番号
IRF640NLPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-262
消費電力(最大)
150W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
150 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
67nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1160pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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