IRF6603
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
部品番号
IRF6603
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
DirectFET™ Isometric MT
サプライヤーデバイスパッケージ
DIRECTFET™ MT
消費電力(最大)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
27A (Ta), 92A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
3.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
72nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6590pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
+20V, -12V
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