IRF6608TR1
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
部品番号
IRF6608TR1
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
DirectFET™ Isometric ST
サプライヤーデバイスパッケージ
DIRECTFET™ ST
消費電力(最大)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13A (Ta), 55A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
9 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
24nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2120pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±12V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 27235 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRF6608TR1
IRF6608TR1 電子部品
IRF6608TR1 売上
IRF6608TR1 サプライヤー
IRF6608TR1 ディストリビュータ
IRF6608TR1 データテーブル
IRF6608TR1の写真
IRF6608TR1 価格
IRF6608TR1 オファー
IRF6608TR1 最安値
IRF6608TR1 検索
IRF6608TR1 を購入中
IRF6608TR1 チップ