IRF6662TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
部品番号
IRF6662TR1PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
DirectFET™ Isometric MZ
サプライヤーデバイスパッケージ
DIRECTFET™ MZ
消費電力(最大)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.9V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
31nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1360pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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