IRF6665TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
部品番号
IRF6665TR1PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
DirectFET™ Isometric SH
サプライヤーデバイスパッケージ
DIRECTFET™ SH
消費電力(最大)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
13nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
530pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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