IRF6709S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
部品番号
IRF6709S2TR1PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
DirectFET™ Isometric S1
サプライヤーデバイスパッケージ
DIRECTFET S1
消費電力(最大)
1.8W (Ta), 21W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
25V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Ta), 39A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.35V @ 25µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
12nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1010pF @ 13V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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