IRF6718L2TRPBF
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
部品番号
IRF6718L2TRPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
DirectFET™ Isometric L6
サプライヤーデバイスパッケージ
DIRECTFET L6
消費電力(最大)
4.3W (Ta), 83W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
25V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
61A (Ta), 270A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
0.7 mOhm @ 61A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.35V @ 150µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
96nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6500pF @ 13V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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