IRF6892STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 28A S3
部品番号
IRF6892STR1PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
DirectFET™ Isometric S3C
サプライヤーデバイスパッケージ
DIRECTFET™ S3C
消費電力(最大)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
25V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.1V @ 50µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
25nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2510pF @ 13V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±16V
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