IRF7329TR
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
部品番号
IRF7329TR
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
2W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9.2A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
17 mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
57nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3450pF @ 10V
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