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IRF7493TRPBF

IRF7493TRPBF

MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
部品番号
IRF7493TRPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
消費電力(最大)
2.5W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
15 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
53nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1510pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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