IRF7902PBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
部品番号
IRF7902PBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
1.4W, 2W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6.4A, 9.7A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.25V @ 25µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.9nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
580pF @ 15V
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