IRF9910TR
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
部品番号
IRF9910TR
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
2W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A, 12A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.55V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
900pF @ 10V
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