IRF9Z34NSTRR
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
部品番号
IRF9Z34NSTRR
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
消費電力(最大)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
55V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
100 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
620pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 50687 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRF9Z34NSTRR
IRF9Z34NSTRR 電子部品
IRF9Z34NSTRR 売上
IRF9Z34NSTRR サプライヤー
IRF9Z34NSTRR ディストリビュータ
IRF9Z34NSTRR データテーブル
IRF9Z34NSTRRの写真
IRF9Z34NSTRR 価格
IRF9Z34NSTRR オファー
IRF9Z34NSTRR 最安値
IRF9Z34NSTRR 検索
IRF9Z34NSTRR を購入中
IRF9Z34NSTRR チップ