Infineon Technologies IRFB3207PBF MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

IRFB3207PBF

MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB

部品番号

IRFB3207PBF

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

HEXFET®

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-220-3

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-220AB

消費電力(最大)

330W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

75V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

170A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

4.5 mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

260nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

7600pF @ 50V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 43306 PCS

連絡先

関連製品

IRFB11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB