Infineon Technologies IRFB4110GPBF MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB を購入

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IRFB4110GPBF

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

部品番号

IRFB4110GPBF

メーカー/ブランド

Infineon Technologies

シリーズ

HEXFET®

部品のステータス

Not For New Designs

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-220-3

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-220AB

消費電力(最大)

370W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

4.5 mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

210nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

9620pF @ 50V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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